Расчет предварительных каскадов УНЧ на биполярных транзисторах

Для расчета предварительных каскадов УНЧ должны быть известны следующие исходные данные, полученные в результате эскизного расчета усилителя и окончатель­ного расчета последующего (например, выходного) каскада: напряжение питания, под­водимое к каскаду (напряжение, приложенное к делителю напряжения в цепи базы последующего каскада) Ек; диапазон частот усилителя fн-..fв; амплитуда переменной составляющей тока на входе последующего каскада Imвх.сл; входное сопротивление последующего каскада Rвх.сл; допустимые значения коэффициентов частотных искажений Мн и Мв; элементы делителя напряжения в цепи базы последующего каскада R1сл и R2сл; тип транзистора, (найденный в результате предварительного расчета уси­лителя).

Расчет резистивного каскада предварительного усиления. Порядок рас­чета предварительного каскада УНЧ рассмотрим на примере наиболее распространенной резистивной схемы при включении транзистора с общим эмиттером (рис. 1).

clip_image002

Рисунок 1 Схема резистивного каскада с общим эмиттером

1. Проверяем правильность предварительного выбора транзистора. Для нормального режима работы транзистора необходимо, чтобы допустимое напряжение между коллектором и эмиттером выбранного транзистора превышало напряжение питания, подводимое к каскаду (напряжение питания Ек любого предварительного каскада равно разности между напряжением питания всего усилителя и падением напряжения на сопротивлениях резисторов развязывающих фильтров, используемых в последующих каскадах)

clip_image004clip_image006, ( 1 )

а величина допустимого тока коллектора превышала входной ток последующего каскада не менее чем в 1,5...2 раза

clip_image008, ( 2 )

2. Определяем величину тока покоя в цепи коллектора по формуле

clip_image010 ( 3 )

3. Находим сопротивление нагрузки в цепи коллектора ( рис.1 ). При выборе величины сопротивления R3 в цепи коллектора необходимо удовлетворять двум противоречивым требованиям: с одной стороны, желательно, чтобы сопротивление R3 было возможно больше по сравнению с величиной входного сопротивления последующего каскада. С другой стороны, увеличение R3 при заданном токе коллектора приводит к тому, что падение напряжения на этом сопротивлении увеличивается, a напряжение между коллектором и эмиттером Uкэ уменьшается до недопустимо малой величины (в течение той части периода усиливаемого напряжения, когда коллекторный ток возрастает, напряжение Uкэ может упасть до нуля и транзистор перестанет усиливать).

С учетом этих требований расчетная формула для определения R3 имеет:

clip_image012. ( 4 )

Мощность, рассеиваемая на резисторе R3, составляет clip_image014

4. Определяем сопротивление резистора R4 в цепи термостабилизации по формуле

clip_image016 ( 5 )

Мощность, рассеиваемая на резисторе R4, равна clip_image018. При этом принимают ток эмиттера в режиме покоя IЭp примерно равным IKp. С учетом найденных значений R3, R4, РR3 и PR4 выбираем стандартные значения и тип резисторов R3 и R4

5. Находим емкость конденсатора СЗ (рис.1)

clip_image020, ( 6 )clip_image004[1]

где fн выражается в герцах, R4 в омах, СЗ — в микрофарадах. Рабочее напряжение конденсатора СЗ должно превышать максимальное напряжение на резисторе R4. В транзисторных УНЧ обычно используются электролитические конденсаторы типа К50-6, К50-7, К50-9, К50-12, К50-15 и др.

6. Находим напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в режиме покоя

покоя

clip_image022 ( 7 )

7. В семействе выходных статических характеристик выбранного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 2, а), отмечаем положение рабочей точки Р с координатами Uкэp и Iкp. Найденному положению рабочей точки соответствует ток базы Iбp. Полученное значение тока базы позволяет определить положение рабочей точки Р' на входной характеристике транзистора, снятой при Uкэ ¹ 0 (рис. 2, б), напряжение покоя участка база — эмиттер Uбэp и входное сопротивление переменному току транзистора рассчитываемого каскада Rвх.

Для нахождения Rвх необходимо провести касательную к точке покоя P’ (рис. 2, б) и найти отношение Rвх = MK/K.P'.

clip_image023

Рисунок 2 Определение режима работы предварительного каскада в семействе выходных характеристик транзистора (а) и по графику входной характеристики (б)

8. Определяем элементы делителя напряжения в цепи базы R1 и R2 (рис. 1). Принимаем падение напряжения на сопротивлении резистора R5 фильтр

clip_image025

Находим напряжение, подводимое делителю R1, R2

clip_image027

Выбираем ток в цепи делителя из ус­ловия

clip_image029

Определяем R1 и R2 по формулам

clip_image031

clip_image033

Падение напряжения на резисторе R4 принимают равным

clip_image035

Необходимо, чтобы выполнялось условие

clip_image037

Выбрав стандартные значения резисторов RI и R2 и определив рассеиваемую на них мощность (clip_image039), находим тип рассчитанных резисторов.

9. Рассчитываем элементы развязывающего фильтра

clip_image041clip_image043

clip_image045

Конкретные типы резистора R5 и конденсатора С2 уточняют после определения мощности, рассеиваемой на резисторе clip_image047 и рабочего напряжения конденсатора (порядка 1,5Ек).

10. Находим амплитудное значение тока на входе каскада

clip_image049

( clip_image051 -минимальное значение коэффициента передачи тока транзистора рассчитываемого каскада).

11. Определяем коэффициент усиления каскада по напряжению на средних частотах по формуле

clip_image053 ,

где Rвх входное сопротивление рассчитываемого каскада; Rэкв.вых — эквивалентное выходное сопротивление данного каскада, определяемое по формуле

clip_image055 ,

здесь R2сл сопротивление резистора R2 в цепи делителя следующего каскада.

12. Находим минимальное значение коэффициента усиления каскаду по мощности

clip_image057,

или в децибелах

clip_image059 ( )

Необходимо, чтобы полученное значение KPрасч[дБ] было не ниже принятого в пред­варительном расчете для данного каскада.

13. Емкость разделительного конденсатора С4, связывающего рассчитываемый каскад с последующим (рис. 1), находим по формуле

clip_image061

(C4 выражается в микрофарадах; fн — в герцах; Rэкв.вых и Rвх.сл - в омах. Рабо­чее напряжение конденсатора С4 принимают равным 1,5Ек).

14. Уточняем величину коэффициента частотных искажений каскада на верхних частотах диапазона

clip_image063 

где Со — эквивалентная емкость, нагружающая рассчитываемый каскад (сумма ем­костей участка коллектор — эмиттер данного каскада, участка база— эмиттер по­следующего каскада и монтажной емкости).

Предлагаю ознакомиться с аналогичными статьями: